发明名称 |
贴合缺陷部的检出方法以及检查系统 |
摘要 |
明提供一种贴合缺陷部的检出方法,系检出一自化合物半导体晶圆单片化而成的化合物半导体晶片的贴合缺陷部的方法,该化合物半导体晶圆为自具有发光层化合物半导体所构成的第一透明基板与自化合物半导体所构成的第二透明基板贴合而成,其特征在于:以同轴落射照明的光照射该化合物半导体晶片,辨识自该化合物半导体晶片的贴合缺陷部反射的光的颜色,检出该贴合缺陷部。藉此能精确地检出藉由将两片自化合物半导体所构成的透明基板予以直接贴合而成的化合物半导体晶圆并进行单片化所形成的半导体晶片的贴合交界面的贴合缺陷部。 |
申请公布号 |
TW201614221 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
申请号 |
TW104129248 |
申请日期 |
2015.09.03 |
申请人 |
信越半导体股份有限公司 |
发明人 |
原田敬 |
分类号 |
G01N21/88(2006.01);H01L21/66(2006.01) |
主分类号 |
G01N21/88(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志青 |
主权项 |
一种贴合缺陷部的检出方法,系检出一自化合物半导体晶圆单片化而成的化合物半导体晶片的贴合缺陷部的方法,该化合物半导体晶圆为自具有发光层化合物半导体所构成的第一透明基板与自化合物半导体所构成的第二透明基板贴合而成,其特征在于: 以同轴落射照明的光照射该化合物半导体晶片,辨识自该化合物半导体晶片的贴合缺陷部反射的光的颜色,检出该贴合缺陷部。 |
地址 |
日本 |