| 发明名称 |
半导体元件及其制作方法 |
| 摘要 |
明揭露一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上具有一第一闸极层、一第一介电层以及一浅沟隔离(shallow trench isolation,STI)环绕该基底、该第一闸极层及该第一介电层。然后去除该第一介电层、形成一第一侧壁子于第一闸极层上方之浅沟隔离侧壁以及利用第一侧壁子为遮罩去除部分第一闸极层及部分基底以形成一第一开口并同时定义出一第一闸极结构及一第二闸极结构。
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| 申请公布号 |
TW201614765 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW103135549 |
申请日期 |
2014.10.14 |
| 申请人 |
力晶科技股份有限公司 |
发明人 |
朱建隆;陈俊宏;邱达乾 |
| 分类号 |
H01L21/762(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
吴丰任;李俊陞;戴俊彦 |
| 主权项 |
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上具有一第一闸极层、一第一介电层以及一浅沟隔离(shallow trench isolation,STI)设于该基底内并环绕该第一闸极层及该第一介电层；去除该第一介电层；形成一第一侧壁子于该第一闸极层上方之该浅沟隔离侧壁；以及利用该第一侧壁子为遮罩去除部分该第一闸极层及部分该基底以形成一第一开口并同时定义出一第一闸极结构及一第二闸极结构。
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| 地址 |
新竹市新竹科学园区力行一路12号 |
