| 发明名称 |
具有磁性接点之自旋转移力矩记忆体（ＳＴＴＭ）装置 |
| 摘要 |
露之技术系用以形成包括磁穿隧接面(MTJ)之积体电路结构，诸如具有磁性接点之自旋转移力矩记忆体(STTM)装置。该些技术包括结合额外磁性层(例如，类似于或相同于磁性接点层之层)以致该额外磁性层被反铁磁地耦合(或者以一种实质上反平行的方式)。额外磁性层可协助平衡磁性接点层之磁场以限制寄生边缘场，其将另由磁性接点层所造成。额外磁性层可藉由(例如)包括非磁性间隔物层于两磁性层之间而被反铁磁地耦合至磁性接点层，藉此产生合成反铁磁体(SAF)。该些技术可有助于(例如)具有与MTJ堆叠之层实质共线或实质上共面的磁性方向之磁性接点。
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| 申请公布号 |
TW201614881 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104117640 |
申请日期 |
2015.06.01 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
道尔 布莱恩;欧固兹 肯恩;郭 查尔斯;达克西 马克;苏利 沙亚斯;肯克 大卫;乔 罗伯特;哥梨萨德莫札拉得 洛桑那 |
| 分类号 |
H01L43/08(2006.01);G11C11/16(2006.01) |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种自旋转移力矩记忆体(STTM)装置，包含：磁穿隧接面(MTJ)，包含：固定磁性层；自由磁性层；及配置于该固定与自由磁性层之间的穿隧障壁层；该MTJ之任一侧上的接点，其中至少一接点为磁性的；及额外磁性层，其系反铁磁地耦合至至少一磁性接点。
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| 地址 |
美国 |
