发明名称 具粗化表面之薄膜式覆晶发光二极体及其制造方法
摘要 明有关于一种具粗化表面之薄膜式覆晶发光二极体及其制造方法,首先,准备一表面具有图形化结构的基板;此外,粗化图形化结构之表面;再者,形成一第一半导体层于具有图形化结构之基板的表面;接续,形成发光结构层于第一半导体层上;接着,形成第二半导体层于发光结构层上,第二半导体层电性系与第一半导体层电性相反;之后,形成第一与第二接触电极于第一与第二半导体层上;最后,形成子基座于第一与第二接触电极上,并将基板移除,藉以制备具粗化表面之薄膜式覆晶发光二极体;藉此,本发明有效提升薄膜式覆晶发光二极体之发光效率。
申请公布号 TW201614862 申请公布日期 2016.04.16
申请号 TW103135236 申请日期 2014.10.09
申请人 新世纪光电股份有限公司 发明人 李一凡;黄靖恩;吴协展
分类号 H01L33/22(2010.01) 主分类号 H01L33/22(2010.01)
代理机构 代理人 叶璟宗;詹东颖;刘亚君
主权项 一种具粗化表面之薄膜式覆晶发光二极体制造方法,其步骤包括有:   步骤一:准备一表面具有图形化结构的基板;   步骤二:粗化该图形化结构之表面;   步骤三:形成一第一半导体层于该具有图形化结构之基板的表面;   步骤四:形成一发光结构层于该第一半导体层上;   步骤五:形成一第二半导体层于该发光结构层上,且该第二半导体层之电性系与该第一半导体层之电性相反;   步骤六:形成一第一接触电极与一第二接触电极于该第一半导体层与该第二半导体层上;以及   步骤七:形成一子基座于该第一接触电极与该第二接触电极上,并将该基板移除,藉以制备一具粗化表面之薄膜式覆晶发光二极体。
地址 台南市善化区大利三路5号