| 发明名称 | 薄膜电晶体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 薄膜电晶体，适配置于一基板上，薄膜电晶体包括一闸极、一闸绝缘层、一第一源极/汲极、一半导体层及一第二源极/汲极。闸极配置于基板上。闸绝缘层覆盖闸极以及基板。第一源极/汲极配置于闸绝缘层上。半导体层配置于闸极上方，半导体层从闸绝缘层延伸至第一源极/汲极上，半导体层包括位于第一源极/汲极的一第一部分以及与第一部分连接的一第二部分，其中第一部分的导电率大于第二部分的导电率。第二源极/汲极覆盖并且接触第二部分。本发明更提供薄膜电晶体的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | TW201614850 | 申请公布日期 | 2016.04.16 |
| 申请号 | TW103134213 | 申请日期 | 2014.10.01 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 张锡明;黄彦余 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 叶璟宗;詹东颖;刘亚君 | |
| 主权项 | 一种薄膜电晶体，适于配置于一基板上，该薄膜电晶体包括：一闸极，配置于该基板上；一闸绝缘层，覆盖该闸极以及该基板；一第一源极/汲极，配置于该闸绝缘层上；一半导体层，配置于该闸极上方，该半导体层从该闸绝缘层延伸至该第一源极/汲极上，该半导体层包括位于该第一源极/汲极的一第一部分以及与该第一部分连接的一第二部分，其中该第一部分的导电率大于该第二部分的导电率；以及一第二源极/汲极，覆盖并且接触该第二部分。 | ||
| 地址 | 桃园市龙潭区325华映路1号 | ||