用于非平面电晶体之钨闸极技术（二）

摘要

明有关于制造具有非平面电晶体之微电子装置的领域。本说明之实施例有关于在非平面NMOS电晶体内形成闸极，其中一NMOS功函数材料，诸如铝、钛及碳的组成，可与一含钛闸极填充障蔽结合使用，以便于在形成非平面NMOS电晶体闸极的一闸极电极中使用一含钨导电材料。

主权项

一种装置，其包含有：一基板，其中该基板包含一矽鳍(silicon fin)；在该基板上之一第一介电层，其中该第一介电层包含矽和氧；在该第一介电层上之一第二介电层，其中该第二介电层包含铪和氧；在该基板上之一对闸极间隔物，其中该等闸极间隔物包含一介电材料；在该第二介电材料之上且在该对闸极间隔物之间的一NMOS金属闸极电极，其中该NMOS金属闸极电极包含：接近该对闸极间隔物且在该第二介电层之上的一第一金属层，其中该第一金属层包含铝、钛和碳；及在该第一金属层上之一第二金属层，其中该第二金属层包含钛和氮；接近该对闸极间隔物之一者的一源极区，与接近该对闸极间隔物之另一者的一汲极区，其中该源极区和该汲极区包含一n型掺杂物；耦接至该源极区之一第一接点，其中该第一接点包含一钨材料在一第一障蔽层之上；以及耦接至该汲极区之一第二接点，其中该第二接点包
含一钨材料在一第二障蔽层之上。