| 发明名称 |
半导体装置中的钨合金 |
| 摘要 |
明描述包含钴、钨、和硼之传导合金以及包含镍、钨、和硼之传导合金。这些合金可例如用来形成金属互连，可用来作为传统之铜或铜合金互连之衬里层，且可作为覆盖层。该等钴-钨和镍-钨合金可使用无电方法来沉积。
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| 申请公布号 |
TW201614787 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104119606 |
申请日期 |
2015.06.17 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
曹 阳;乔德哈里 阿肯;葛纳斯 杰夫 |
| 分类号 |
H01L23/488(2006.01);C22C19/00(2006.01);C22C27/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其包含：基材；在该基材上之介电材料层，其中该介电材料具有凹陷形成在其内；及传导合金材料，其中该传导合金材料填充该凹陷且其中该传导合金材料包含55至75原子%之钴、20至40原子%之钨、及1至5原子%之硼。
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| 地址 |
美国 |
