| 发明名称 |
半导体元件的制造方法 |
| 摘要 |
半导体元件的制造方法，包括以下步骤。提供包括记忆胞区与周边区域的基底，且基底中已形成多数个隔离结构。每一隔离结构包含凸出于基底表面的裸露部分。于基底上形成第一介电层。于每一隔离结构的裸露部分的侧壁上形成保护层。移除周边区域上的第一介电层。于周边区域的基底上形成第二介电层。
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| 申请公布号 |
TW201614766 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW103135650 |
申请日期 |
2014.10.15 |
| 申请人 |
力晶科技股份有限公司 |
发明人 |
施凯侥;王思婷;尹德源;张柏成;戴炘 |
| 分类号 |
H01L21/762(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗;詹东颖;刘亚君 |
| 主权项 |
一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基底，该基底包括一记忆胞区与一周边区域，且该基底中已形成多数个隔离结构，每一隔离结构包含凸出于该基底表面的一裸露部分；于该基底上形成一第一介电层；于每一隔离结构的该裸露部分的侧壁上形成一保护层；移除该周边区域上的该第一介电层；以及于该周边区域的该基底上形成一第二介电层。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |
