发明名称 |
矽晶粒上互连堆叠中之嵌入式记忆体 |
摘要 |
方法包括在包含复数个电路装置之积体电路装置层的相对侧形成复数个第一互连及复数个第二互连,其中形成该复数个第一互连及该复数个第二互连的一些包含嵌入记忆装置在其中。一种装置包含基板,该基板包含在积体电路装置层相对侧之复数个第一互连以及复数个第二互连,该积体电路装置层包含复数个电路装置,其中该复数个第一互连及该复数个第二互连的一些包含记忆装置嵌入其中。
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申请公布号 |
TW201614734 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
申请号 |
TW104114890 |
申请日期 |
2015.05.11 |
申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
尼尔森 唐诺德;韦伯 麦;摩洛 派克;全箕玟 |
分类号 |
H01L21/335(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/335(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种方法,包含:在包含复数个电路装置之积体电路装置层的相对侧形成复数个第一互连及复数个第二互连,其中形成的该复数个第一互连及该复数个第二互连的一些包含嵌入记忆装置在其中;以及耦合该些记忆装置的一些至该复数个第一互连及该复数个第二互连之各别的一些中的每一者及至该复数个电路装置的一些。
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地址 |
美国 |