| 摘要 |
온/오프비가 높은 저항 변화형 기억 장치를 제공할 수 있다. 실시 형태에 따른 저항 변화형 기억 장치는, 제1 원소를 함유하는 제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 구비되고, 상기 제1 원소의 산화물을 함유하는 저항 변화층과, 상기 저항 변화층 위에 구비되고, 제2 원소 및 산소를 함유하고, 산소 이온 전도성을 갖고, 비유전율이 상기 저항 변화층의 비유전율보다 높은 산소 전도층과, 상기 산소 전도층 위에 구비된 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 전압을 제로로부터 연속적으로 증가시킬 때, 상기 산소 전도층보다 먼저 상기 저항 변화층이 절연 파괴된다. |
