CONDUCTIVE INTERCONNECT STRUCTURES INCORPORATING NEGATIVE THERMAL EXPANSION MATERIALS AND ASSOCIATED SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS

摘要

음의 팽창(NTE) 물질을 포함하는 인터커넥트를 가진 반도체 디바이스가 여기서 개시된다. 일 실시예에서, 반도체 디바이스는 기판을 통해 적어도 부분적으로 연장되는 개구부를 가진 기판을 포함한다. 양의 열팽창계수(CTE)를 가진 전도 물질이 개구부를 부분적으로 충전한다. 음의 CTE를 가진 음의 열챙창(NTE) 물질이 또한 개구부를 부분적으로 충전한다. 일 실시예에서, 전도 물질은 구리를 포함하고, NTE 물질은 지르코늄 텅스테이트를 포함한다.