发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM
摘要 본 발명은 기판 위에 형성되는 막의 특성을 향상시킴과 함께, 제조 스루풋을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 기판에 원료 가스를 공급하는 공정과, 플라즈마 생성 영역에 반응 가스를 공급하는 공정과, 상기 플라즈마 생성 영역에 고주파 전력을 공급하는 공정과, 상기 반응 가스를 공급하기 전의 상기 플라즈마 생성 영역 내의 압력을 제1 압력으로 하고, 상기 반응 가스와 상기 고주파 전력이 공급된 상태에서, 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 조정하여 상기 반응 가스의 플라즈마를 생성하는 공정을 갖는다.
申请公布号 KR101612622(B1) 申请公布日期 2016.04.14
申请号 KR20140123445 申请日期 2014.09.17
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 도요다, 가즈유키;히로치, 유키토모;야마모토, 데츠오;모리미츠, 가즈히로;다카사키, 다다시
分类号 H01L21/02;H01L21/205;H05H1/46 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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