Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst eine Gateelektrode (150) in einem Trench (120) in einem Halbleiterkörper (100). Die Gateelektrode (150) umfasst eine Vielzahl von Gatesegmenten (151), die längs einer Ausdehnungsrichtung des Trenches (120) angeordnet sind, wobei die Gatesegmente (151) mit benachbarten Gatesegmenten mittels Verbindungselementen (152) verbunden sind. Ein Abstand zwischen benachbarten Gatesegmenten (151) ist gleich wie oder kleiner als 0,5 × L, wobei L eine Länge von jedem der Gatesegmente (151) bezeichnet und die Länge längs der Ausdehnungsrichtung des Trenches (120) gemessen ist.