Hochspannungs-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren derselben

摘要

In einer Oberfläche einer n–-SiC-Schicht (2) auf einem n+-SiC-Halbleitersubstrat (1) wird eine p+-Schicht (3) selektiv gebildet; und eine p-Basisschicht (4) wird auf der n–-SiC-Schicht (2) und der p+-Schicht (3) gebildet. In einer Oberflächenschicht der p-Basisschicht (4) wird eine p+-Kontaktschicht (5) selektiv gebildet. Von einer Oberfläche und die p-Basisschicht (4) durchdringend, sodass sie die n–-SiC-Schicht (2) erreicht, wird eine n-Gegenschicht (6) gebildet. Eine Gate-Elektrodenschicht (8) wird über einen Gate-Isolierfilm (9) auf einem freiliegenden Oberflächenteil der p-Basisschicht (4) zwischen der p+-Kontaktschicht (5) und der n-Gegenschicht (6) abgeschieden; und eine Source-Elektrode (10), die die p+-Kontaktschicht (5) und die p-Basisschicht (4) kontaktiert, wird angeordnet. In einer Rückfläche wird eine Drain-Elektrode (11) angeordnet. Ein Teil der p+-Schichten (3) wird in einem Gebiet der n-Gegenschicht (6) auf der Seite der Drain-Elektrode (11) durch eine Verbindungseinheit verbunden und eine p+-Schicht (31) wird so gebildet, dass sie einen Teil der p+-Schicht (3) auf der Seite der Drain-Elektrode (11) kontaktiert.