EUV-Lithographiesystem und Betriebsverfahren dafür

摘要

Die Erfindung betrifft ein EUV-Lithographiesystem (1), umfassend: mindestens ein optisches Element (13, 14) mit einer optischen Oberfläche (13a, 14a), die in einer Vakuum-Umgebung (17) des EUV-Lithographiesystems (1) angeordnet ist, sowie eine Zuführungseinrichtung (27) zur Zuführung von Wasserstoff in die Vakuum-Umgebung (17), in der mindestens eine Silizium enthaltende Oberfläche (29a) angeordnet ist. Die Zuführungseinrichtung (27) ist zur zusätzlichen Zuführung eines Sauerstoff enthaltenden Gases in die Vakuum-Umgebung (17) ausgebildet und weist eine Dosiereinrichtung (28) zur Einstellung eines Sauerstoff-Partialdrucks (pO2) an der mindestens einen Silizium enthaltenden Oberfläche (29a) und/oder an der optischen Oberfläche (13a, 14a) auf.