- - - CHARGE-TRAP MEMORY CELL METHOD OF FABRICATING A CHARGE-TRAP MEMORY CELL AND SYSTEM HAVING A CHARGE-TRAP MEMORY CELL

摘要

3D 전하-트랩 메모리 셀을 제조하는 방법, 이를 포함하는 장치 및 시스템이 기재되어 있다. 전도성 물질과 절연 물질의 교호층들에 의해 형성되는 평면 적층체에, 실질적으로 수직형인 개구가 형성될 수 있다. 상기 수직형인 개구의 내부에는, 제1층, 전하-트랩층, 터널링 산화물층 및 에피택셜 실리콘 부분을 포함하는 실질적으로 수직형인 구조체가 형성될 수 있다. 또한, 추가적인 실시예도 기재되어 있다.