发明名称 Verbindungsstruktur mit Begrenzungsschicht
摘要 Es werden eine Verbindungsstruktur sowie ein Verfahren für die Bereitstellung einer Verbindungsstruktur, die leitfähige Elemente mit verringerten topografischen Schwankungen aufweist, offenbart. Die Verbindungsstruktur umfasst ein Kontaktpad, das über einem Substrat angeordnet ist. Das Kontaktpad umfasst eine erste Schicht auf einem ersten leitfähigen Material sowie eine zweite Schicht aus einem zweiten leitfähigen Material über der ersten Schicht. Das erste leitfähige Material und das zweite leitfähige Material bestehen im Wesentlichen aus demselben Material und sie weisen eine erste mittlere Korngröße und eine zweite mittlere Korngröße, die kleiner als die erste mittlere Korngröße ist, auf. Die Verbindungsstruktur umfasst weiterhin eine Passivierungsschicht, welche das Substrat und das Kontaktpad bedeckt, wobei die Passivierungsschicht eine Öffnung aufweist, welche das Kontaktpad freilegt.
申请公布号 DE102014115105(A1) 申请公布日期 2016.04.14
申请号 DE201410115105 申请日期 2014.10.17
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. 发明人 LO, HSIAO YUN;LIN, YUNG-CHI;HSUEH, YANG CHIH;CHIOU, WEN-CHIH
分类号 H01L29/43;H01L21/283;H01L21/768;H01L23/482 主分类号 H01L29/43
代理机构 代理人
主权项
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