发明名称 A FIELD EFFECT TRANSISTOR AND A GAS DETECTOR INCLUDING A PLURALITY OF FIELD EFFECT TRANSISTORS
摘要 전계 효과 트랜지스터가 제공되며, 이러한 전계 효과 트랜지스터는 소스를 포함하고, 여기서 소소는 복수의 전극 돌출부들을 포함하고, 소스의 전극 돌출부들 사이에는 공간들이 있다. 드레인이 복수의 전극 돌출부들을 포함하고, 드레인의 전극 돌출부들 각각은 소스의 전극 돌출부들 사이의 공간들 중 하나의 공간에 위치하여 드레인 및 소스 돌출부들이 번갈아 배치되는 드레인-소스 전극 연결 영역이 형성되도록 한다. 게이트가 드레인-소스 전극 영역으로부터 이격되어 드레인-소스 전극 연결 영역과 게이트 사이에 채널이 형성되도록 하고, 게이트는 채널과 평행하게 진행한다. 복수의 나노 구조들이 드레인-소스 전극 연결 영역 내의 드레인 및 소스의 전극 돌출부들 간의 전기적 연결을 형성하도록 드레인-소스 전극 영역 내에 위치한다. 본원 발명은 기판 상에 위치하는 복수의 앞서 설명된 바와 같은 전계 효과 트랜지스터들을 포함하는 가스 검출기로 확장된다.
申请公布号 KR20160040473(A) 申请公布日期 2016.04.14
申请号 KR20157036846 申请日期 2014.05.26
申请人 CSIR 发明人 MWAKIKUNGA BONEX WAKUFWA
分类号 G01N27/414;H01L21/8234;H01L29/06 主分类号 G01N27/414
代理机构 代理人
主权项
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