发明名称 NON-PLANAR TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF
摘要 본 발명은 비평면 트랜지스터들 내에 소스/드레인 구조들을 형성하는 것에 관한 것이고, 여기에서 핀 스페이서들은, 비평면 트랜지스터 핀들로부터 소스/드레인 구조들을 형성하거나 또는 소스/드레인 구조들을 형성하도록 비평면 트랜지스터 핀들을 적합한 재료들로 대체하기 위해 비평면 트랜지스터들로부터 제거된다.
申请公布号 KR101612646(B1) 申请公布日期 2016.04.14
申请号 KR20147007903 申请日期 2011.09.30
申请人 인텔 코포레이션 发明人 조쉬, 서브하쉬 엠.;하텐도르프, 마이클
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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