发明名称 METHOD OF FORMING NANOWIRES
摘要 The present invention provides a semiconductor structure. The semiconductor structure includes: a substrate; a first nanowire on the substrate; and a second nanowire symmetrical to the first nanowire.
申请公布号 KR20160040409(A) 申请公布日期 2016.04.14
申请号 KR20140183000 申请日期 2014.12.18
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 HUANG YU LIEN;LI YUNG TA;CHEN MENG KU
分类号 H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
主权项
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