| 发明名称 |
IMPROVED LOW RESISTANCE CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES |
| 摘要 |
본 발명은 게르마늄의 제1층(120)과 금속의 제2층을 제공함으로써 반도체 디바이스 제공을 위한 기재 위에 금속게르마나이드 접촉을 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명은 상기 제1층과의 사이에 본질적으로 평탄한 계면을 갖는 게르마나이드 금속층(160A)을 얻기 위하여 고밀도 에너지 펄스로 상기 제2층을 상기 제1층과 반응시키는 단계를 제공한다. |
| 申请公布号 |
KR20160040441(A) |
申请公布日期 |
2016.04.14 |
| 申请号 |
KR20157022658 |
申请日期 |
2014.01.30 |
| 申请人 |
EXCICO FRANCE;UNIVERSITY COLLEGE CORK - NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND, CORK |
发明人 |
DUFFY RAY;SHAYESTEH MARYAM;HUET KARIM |
| 分类号 |
H01L21/324;H01L21/268;H01L21/285;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/324 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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