| 摘要 |
본 발명은 a) 애노드, b) 캐소드, c) 적어도 하나의 반도체성 유기 재료를 포함하는, 애노드와 캐소드 사이에 배치된 적어도 하나의 에미터층, 및 d) 적어도 하나의 에미터층과 애노드 사이에 배치되고 정공 전도성 구조 단위들을 갖는 중합체를 포함하는 적어도 하나의 중간층을 포함하는 전기광학 디바이스에 관한 것이다. 디바이스는, 정공 전도성 구조 단위들을 갖는 중합체가 전자 전도성 특성들을 갖는 구조 단위들을 추가로 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 디바이스들은 공지된 디바이스들에 비해 상당히 긴 서비스 수명을 갖는다. |
