| 发明名称 |
半導体デバイスの電極及びその製造方法 |
| 摘要 |
ＩＩＩ−Ｎ半導体ＨＥＭＴ素子は、ＩＩＩ−Ｎ材料構造上に電極画定層を含む。電極画定層は、ドレインに近接する第１の側壁と、ソースに近接する第２の側壁とを有する凹部を有し、各側壁は、複数の段を含む。ＩＩＩ−Ｎ材料構造から遠い凹部の一部の幅は、ＩＩＩ−Ｎ材料構造に近接する凹部の一部の幅より広い。凹部に設けられた電極は、第１の側壁を覆う拡張部分を含む。電極画定層の一部は、拡張部分とＩＩＩ−Ｎ材料構造との間にある。第１の側壁は、ＩＩＩ−Ｎ材料構造の表面に対して第１の有効角を形成し、第２の側壁は、ＩＩＩ−Ｎ材料構造の表面に対して第２の有効角を形成し、第２の有効角は、第１の有効角より大きい。【選択図】 図１７ |
| 申请公布号 |
JP2016511544(A) |
申请公布日期 |
2016.04.14 |
| 申请号 |
JP20150558134 |
申请日期 |
2014.02.13 |
| 申请人 |
トランスフォーム インコーポレーテッド |
发明人 |
チョウドリー，スラバンティ;ミシュラ，ウメシュ;ドラ，ユヴァラジ |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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