METHOD FOR LOCATING A WAFER IN THE INGOT OF SAME

摘要

반도체 재료로 제조된 잉곳에서의 웨이퍼의 원위치를 결정하는 방법은 다음의 단계들을 포함한다: 상기 웨이퍼의 일 영역에서의 격자간 산소 농도 ([O]) 를 측정하는 단계 (F1); 상기 잉곳의 이전 고형화 동안 상기 웨이퍼의 상기 영역에 형성된 열 공여체들의 농도 ([DT]) 를 측정하는 단계 (F2); 상기 열 공여체 농도 ([DT]) 및 상기 격자간 산소 농도 ([O]) 로부터, 상기 잉곳의 고형화 동안 상기 웨이퍼에 의해 경험된 열 공여체 형성 어닐링의 실제 지속기간 (t) 을 결정하는 단계 (F3); 및 상기 실제 지속기간 (t) 으로부터 상기 잉곳에서의 상기 웨이퍼의 원위치를 결정하는 단계 (F4).