SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING MODULATED NANOWIRE COUNTS

摘要

변조된 나노와이어 카운트들을 갖는 반도체 디바이스들, 및 그러한 디바이스들을 형성하는 방법들이 기술된다. 예를 들어, 반도체 구조물은 기판 위에 배치되고 제1 최상위 나노와이어를 갖고서 제1 수직 평면 내에 적층되는 복수의 나노와이어를 갖는 제1 반도체 디바이스를 포함한다. 제2 반도체 디바이스는 기판 위에 배치되고 제2 최상위 나노와이어를 갖고서 제2 수직 평면 내에 적층되는 하나 이상의 나노와이어를 갖는다. 제2 반도체 디바이스는 제1 반도체 디바이스보다 하나 이상 더 적은 나노와이어들을 포함한다. 제1 및 제2 최상위 나노와이어는 제1 및 제2 수직 평면에 직교하는 동일 평면 내에 배치된다.