分裂栅快闪存储单元的编程验证方法

摘要

本发明提供一种分裂栅快闪存储单元的编程验证方法，包括如下步骤：(a)利用预定电压值对所述分裂栅闪存单元中的所述第一子单元进行编程；(b)校验流经所述第一子单元的编程电流是否大于预定电流阈值，其中若流经所述第一子单元的编程电流小于等于所述预定电流阈值，则不再对所述第一子单元进行编程，并且其中若所述编程电流大于所述预定电流阈值，则可重复步骤(a)和(b)再对所述第一子单元进行编程；(c)重复步骤(a)和(b)对所述第二子单元进行编程校验。

主权项

一种分裂栅储存单元的编程校验方法，所述分裂栅储存单元包括形成在同一半导体衬底上的结构相同的第一和第二分裂栅子单元，所述第一和第二分裂栅子单元分别具有浮置栅、控制栅、漏栅以及源栅，其中所述漏栅分别连接至第一和第二位线；所述控制栅包括第一和第二控制栅，它们分别连接有第一和第二导线，以对所述第一和第二控制栅进行电压控制；所述源栅相互连接，从而使得所述第一和第二分裂栅子单元的氧化层相互连接而成为所述分裂栅储存单元的沟道；在所述沟道上还形成有一栅极，并且所述栅极连接至字线，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(a)利用预定电压值对所述分裂栅储存单元中的所述第一分裂栅子单元进行编程；(b)校验流经所述第一分裂栅子单元的编程电流，其中若流经所述第一分裂栅子单元的编程电流小于等于预定电流阈值，则不再对所述第一分裂栅子单元进行编程，并且其中若所述编程电流大于所述预定电流阈值，则可重复步骤(a)和(b)再对所述第一分裂栅子单元进行编程；(c)重复步骤(a)和(b)对所述第二分裂栅子单元进行编程校验；其中，在步骤(b)中，对所述第一控制栅施加一个4V低电压，对所述第二控制栅施加一个5V高电压而得到流经所述第一分裂栅子单元的编程电流的值，其中所述5V高电压等于在所述步骤(a)中对所述第二控制栅施加的电压。