| 发明名称 | 半导体元器件、半导体晶片元器件、半导体元器件的制造方法、及接合结构体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体元器件(100)包括：半导体元件(101)；以及接合层(102)，该接合层(102)形成于半导体元件(101)的一个面上，由Bi为主要成分的接合材料构成，在接合层(102)的与半导体元件(101)相接的面的相反一侧的面上形成有凸部(103)。使用该半导体元器件(100)，使其与被配置成与接合层(102)彼此相对的电极(201)接合，从而能够抑制空隙的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN102422403B | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201080021256.0 | 申请日期 | 2010.07.20 |
| 申请人 | 松下知识产权经营株式会社 | 发明人 | 北浦秀敏;古泽彰男;酒谷茂昭;中村太一;松尾隆广 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 一种半导体元器件，其特征在于，包括：半导体元件，该半导体元件的宽度为1.6mm～5mm；以及接合层，该接合层形成于所述半导体元件的一侧的面上，由Bi为主要成分的接合材料构成，且该接合层的宽度与所述半导体元件的所述宽度相等，在所述接合层的与所述半导体元件相接的面相反一侧的面上形成有凸部，所述凸部是最大直径为10μm、高度为5μm以上30μm以下的半球状，且由与所述接合层相同的材料构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||