| 发明名称 | 二极管仿真电路模型 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种二极管仿真电路模型，包括一正向二极管模型，还包括一电压控制电流源、一寄生电阻；电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间；所述正向二极管模型，反向击穿电流为零；所述电压控制电流源，电流值为：<img file="DDA0000100800020000011.GIF" wi="824" he="146" />本发明的二极管仿真电路模型，提高了二极管反向特性的模型精度和灵活性，在二极管的正向工作电流与反向击穿电流都能得到较好的对准精度。 | ||
| 申请公布号 | CN103064994B | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201110322042.3 | 申请日期 | 2011.10.21 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王正楠 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王江富 |
| 主权项 | 一种二极管仿真方法，其特征在于，仿真方法基于二极管仿真模型，二极管仿真模型包括一正向二极管模型、一电压控制电流源、一寄生电阻；所述电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间；所述正向二极管模型，反向击穿电流为零；所述电压控制电流源，其电流值为：<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>c</mi><mi>u</mi><mi>r</mi><mo>=</mo><mi>j</mi><mi>r</mi><mi>e</mi><mi>v</mi><mo>*</mo><mi>exp</mi><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><msub><mi>V</mi><mi>A</mi></msub><mo>+</mo><mi>B</mi><mi>v</mi><mi>r</mi><mi>e</mi><mi>v</mi><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><mi>n</mi><mi>r</mi><mi>e</mi><mi>v</mi><mo>*</mo><mi>k</mi><mo>*</mo><mi>t</mi><mo>/</mo><mi>q</mi></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000836537950000011.GIF" wi="950" he="167" /></maths>其中，cur为电压控制电流源电流值，jrev为反向击穿电流系数，Bvrev为反向击穿电压点，nrev为反向击穿电流的指数项修正系数，V<sub>A</sub>为电压控制电流源同寄生电阻连接点电压，t是环境温度，k是波尔兹曼常数，q为电荷常数。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||