光电动势装置的制造方法以及光电动势装置的制造装置

摘要

包括：在硅基基板(11)的表面扩散杂质元素，形成杂质扩散层(15)的工序；以及蚀刻工序，用于在硅基基板的第1面侧中的至少一部分中，去除杂质扩散层，蚀刻工序包括：蚀刻流体供给工序，在第1面侧中，从供给位置供给向硅基基板的外缘部流动的蚀刻流体(33)；以及空气供给工序，与蚀刻流体供给工序中的蚀刻流体的供给相匹配地，在硅基基板中的与第1面侧相反的第2面侧中，向与蚀刻流体相同的朝向，供给空气(34)。

主权项

一种光电动势装置的制造方法，其特征在于，包括：在硅基基板的表面扩散杂质元素，形成杂质扩散层的工序；以及蚀刻工序，用于在所述硅基基板的第1面侧中的至少一部分中，去除所述杂质扩散层，所述蚀刻工序包括：以使所述硅基基板的外缘部从载置台露出的方式载置所述硅基基板而旋转的工序；蚀刻流体供给工序，在所述第1面侧中，以使从第1面侧的所述载置台露出的所述硅基基板的外缘部中的预先决定的部分成为最优先的供给目的地的方式，从供给位置朝向所述硅基基板的外缘部供给蚀刻流体；以及空气供给工序，与所述蚀刻流体供给工序中的所述蚀刻流体的供给相匹配地，在所述硅基基板中的与所述第1面侧相反的第2面侧中，向与所述蚀刻流体相同的朝向供给空气。