背接触晶体硅太阳能电池片制造方法

摘要

本申请公开了一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，包括：对开孔、制绒后的半导体基片进行扩散，对扩散后半导体基片进行处理后得到背接触晶体硅太阳能电池片，还包括：扩散前，在制绒后半导体基片的任一表面上生成阻挡层，以避免扩散时在阻挡层所在的面上进行扩散；扩散后，去除扩散后半导体基片上的阻挡层。该方法在对半导体基片进行扩散前，通过在半导体基片的背光面生成阻挡层，可以避免在背光面进行扩散形成P-N结。与现有技术相比，该方法可以减少激光隔离工序，降低了电池片漏电风险，并且使得电池片的碎片率大幅度降低。另外，减少激光隔离工序，使得工艺更加简单，并减少了设备成本，有利于大规模工业化生产。

主权项

一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，包括对开孔、制绒后的半导体基片进行扩散，并且对扩散后所述半导体基片进行处理后得到背接触晶体硅太阳能电池片，其特征在于，还包括：扩散前，在制绒后所述半导体基片的任一表面上生成阻挡层，以避免扩散时在所述阻挡层所在的面上进行扩散；在制绒后所述半导体基片的通孔内壁上生成阻挡层，以避免扩散时在所述通孔内壁进行扩散；扩散后，去除扩散后所述半导体基片上的阻挡层；在制绒后所述半导体基片的任一表面上生成阻挡层的过程包括：在所述半导体基片的任一表面的整面上生成阻挡层，或者，在所述半导体基片任一表面上的通孔周围区域生成阻挡层。