| 发明名称 | YAM低介微波介质陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种YAM低介微波介质陶瓷及其制备方法，YAM低介微波介质陶瓷，包括基料和烧结助剂；所述基料的化学式结构为Y<sub>4</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>9</sub>；所述基料的原料包括Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；所述烧结助剂包括TEOS和MgO；所述TEOS占所述基料总量的百分比为xwt％，其中，x＝0.8～1.0；所述MgO占所述基料总量的百分比为ywt％，其中，y＝0.2～0.5。本发明通过固相反应法制备的YAM低介微波介质陶瓷材料经XRD物相分析含有YAM单相，微波介电性能为：ε<sub>r</sub>＝11.0～12.9，Q×f＝33300～40900GHz，τ<sub>f</sub>＝－31～－21ppm/℃，该陶瓷材料是从Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系陶瓷中开发出的一种全新低介微波介质陶瓷，有应用于高性能微波介质基板材料的希望。 | ||
| 申请公布号 | CN105481361A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201511027667.1 | 申请日期 | 2015.12.30 |
| 申请人 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 发明人 | 余盛全;敬畏;尹文龙;唐明静;胥涛;康彬 |
| 分类号 | C04B35/44(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人 | 袁辰亮 |
| 主权项 | 一种YAM低介微波介质陶瓷，包括基料和烧结助剂；其特征在于：所述基料的化学式结构为Y<sub>4</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>9</sub>；所述基料的原料包括Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；所述烧结助剂包括TEOS和MgO；所述TEOS占所述基料总量的百分比为xwt％，其中，x＝0.8～1.0；所述MgO占所述基料总量的百分比为ywt％，其中，y＝0.2～0.5。 | ||
| 地址 | 621000 四川省绵阳市绵山路64号 | ||