一种含量子点的LED芯片结构

摘要

本发明公开了一种含量子点的LED芯片结构，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，半导体上分别设置有金属电极，还包括直接覆盖在LED晶圆外的光阻层，光阻层由光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有量子点。由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有量子点，可根据量子点所采用的材料对LED晶圆发出的光线进行调节，得到所需要的各种颜色LED发光芯片。

主权项

一种含量子点的LED芯片结构，包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N型半导体层（20）、发光层（30）和P型半导体层（40），形成LED晶圆，所述N型半导体层（20）和P型半导体层（40）上分别设置有金属电极（51；52），其特征在于：还包括直接覆盖在LED晶圆外的光阻层（60），所述光阻层（60）由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，所述光刻胶内均匀混合有量子点。