用于制造绝缘栅双极晶体管的方法

摘要

提供一种用于制造绝缘栅双极晶体管(10)的方法，其包括在发射极侧(65)与集电极侧(45)之间的第一导电类型的漂移层(3)，其中栅电极(7)和发射极电极(8)布置在发射极侧(65)，而集电极侧与发射极侧(65)相对，集电极电极(9)布置在集电极侧(45)。该制造方法包括以下顺序的制造步骤：-确定第二导电类型的衬底(1)，第二导电类型与第一导电类型相反，衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧(12，14)，-通过施加掺杂剂在第一侧(12)上创建第一导电类型的第一层(25)，-在第一层(25)上创建第一导电类型的漂移层(3)，漂移层(3)具有低的掺杂浓度，-扩散离子使得创建具有缓冲层厚度(22)的缓冲层(2)，其中缓冲层(2)具有比漂移层(3)更高的掺杂浓度，-在漂移层(3)上创建第二导电类型的基极层(5)，-在基极层(5)上创建第一导电类型的发射极层(6)，-在第二侧(14)上减薄(48)衬底(1)使得衬底的保留部分形成集电极层(4)。

主权项

一种用于制造绝缘栅双极晶体管(10)的方法，其包括在发射极侧(65)与集电极侧(45)之间的第一导电类型的漂移层(3)，其中栅电极(7)和发射极电极(8)布置在所述发射极侧(65)，而所述集电极侧与所述发射极侧(65)相对，集电极电极(9)布置在所述集电极侧(45)，其中制造方法包括以下顺序的制造步骤：‑确定第二导电类型的衬底(1)，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述衬底具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧(12，14)，‑通过施加所述第一导电类型的掺杂剂在所述第一侧(12)上创建所述第一导电类型的第一层(25)，‑在所述第一层(25)上创建所述第一导电类型的漂移层(3)，所述漂移层(3)具有低掺杂浓度，‑扩散所述掺杂剂使得创建具有缓冲层厚度(22)的缓冲层(2)，其中所述缓冲层(2)具有比所述漂移层(3)更高的掺杂浓度，‑在所述漂移层(3)上创建所述第二导电类型的基极层(5)，‑在所述基极层(5)上创建所述第一导电类型的发射极层(6)，‑在所述第二侧(14)上减薄(48)所述衬底(1)使得所述衬底的保留部分形成集电极层(4)。