| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽中形成有蚀刻停止层；以及在所述蚀刻停止层上依次形成粘合层、功函数层、扩散阻挡层和导电层。根据本发明提供的半导体器件的制造方法，在金属栅极的蚀刻停止层与功函数层之间形成一层粘合层。该粘合层可以增强蚀刻停止层与功函数层之间的粘附性，避免这两层之间的界面上的脱落问题，从而可以改进半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105489556A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201410537884.4 | 申请日期 | 2014.10.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 徐建华 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽中形成有蚀刻停止层；以及在所述蚀刻停止层上依次形成粘合层、功函数层、扩散阻挡层和导电层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||