| 发明名称 | 形成用于基于碲化镉的薄膜光伏装置的导电透明氧化物膜层的方法 | ||
| 摘要 | 概括地讲，本发明提供了用于在衬底(12)上形成导电氧化物层(14)的方法。在一个特定实施方案中，所述方法可包括在约10℃-约100℃的溅射温度下在衬底(12)上溅射透明导电氧化物层(14)。包含硫化镉的盖层(15)可直接沉积在所述透明导电氧化物层(14)上。可使所述透明导电氧化物层(14)在约450℃-约650℃的退火温度下退火。概括地讲，本发明还提供了用于制造基于碲化镉的薄膜光伏装置(10)的方法。概括地讲，本发明还提供了用于制造薄膜光伏装置(10)的中间衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN102208483B | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201110086428.9 | 申请日期 | 2011.03.29 |
| 申请人 | 初星太阳能公司 | 发明人 | S·D·费尔德曼-皮博迪;J·A·德雷顿;R·D·戈斯曼;M·萨德希 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 徐晶;林森 |
| 主权项 | 在衬底上形成导电氧化物层的方法，所述方法包括：在10℃‑100℃的溅射温度下在衬底上溅射透明导电氧化物层；将盖层直接沉积在所述透明导电氧化物层上，其中所述盖层包含硫化镉；和在450℃‑650℃的退火温度下使所述透明导电氧化物层退火以除去所述盖层，其中退火后在透明导电氧化物层上保留小于25%的盖层。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多州 | ||