发明名称 高密度3D封装
摘要 本发明的实施例提供集成电路系统,其包括具有穿过插入件的多个导电过孔的插入件,安装在插入件的第一表面上的一个或多个高功率芯片,其中一个或多个高功率芯片在正常运行期间生成至少10W的热量,安装在插入件的第二表面上的一个或多个低功率芯片,其中一个或多个低功率芯片在正常运行期间生成小于5W的热量,并且第一和第二表面彼此相对并且大体平行,以及在一个或多个高功率芯片和一个或多个低功率芯片上形成的并配置为包封一个或多个高功率芯片和一个或多个低功率芯片的包封材料。由于低功率芯片和高功率芯片分别安装在插入件的正面和背面,所以插入件的占地面积和与其相关联的制造成本得到减少。
申请公布号 CN103378017B 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201310146041.7 申请日期 2013.04.24
申请人 辉达公司 发明人 姜泽圭;翟军
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 北京市磐华律师事务所 11336 代理人 董巍;徐丁峰
主权项 一种集成电路系统,包括:插入件,其包括穿过所述插入件的多个导电过孔;安装在所述插入件的第一表面上的一个或多个高功率芯片,其中所述一个或多个高功率芯片在正常运行期间生成至少10W的热量;安装在所述插入件的第二表面上的一个或多个低功率芯片,其中所述一个或多个低功率芯片在正常运行期间生成小于5W的热量,所述一个或多个低功率芯片中的每个包括与所述一个或多个高功率芯片的边按行对齐的输入/输出端子,并且所述第一表面和所述第二表面彼此相对并且大体平行;以及在所述一个或多个高功率芯片和所述一个或多个低功率芯片上形成的并配置为包封所述一个或多个高功率芯片和所述一个或多个低功率芯片的包封材料。
地址 美国加利福尼亚州