源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法，包括步骤：1)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层及栅极边墙；2)淀积源漏多晶硅；3)涂布有机底部抗反射层；4)各向同性自对准刻蚀源漏多晶硅；5)去除刻蚀阻挡层。该方法利用底部抗反射层作为掩膜，栅极中间的停止层作为刻蚀阻挡层，并利用栅极边墙隔离源漏多晶硅和栅，自对准刻蚀形成与有源区直接接触的源漏多晶硅，使接触孔得以直接落在源漏多晶硅上，而不是落在有源区上，从而缩小了有源区的面积，增加了接触孔的工艺窗口，提高了半导体器件的集成度。

主权项

源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层以及栅极边墙；所述刻蚀阻挡层和栅极边墙为氮化硅或氧化硅；2)淀积源漏多晶硅；3)在源漏多晶硅上涂布有机底部抗反射层；在所述抗反射层上多晶硅栅极以外的区域，涂布光刻胶，对抗反射层进行自对准干法刻蚀，去除多晶硅栅极顶部的抗反射层和一部分源漏多晶硅；所述自对准干法刻蚀的刻蚀气体主要包括氯气或四氟化碳；4)各向同性地自对准刻蚀源漏多晶硅，刻蚀气体的主要成分包括六氟化硫、氧气和氦气；5)干法或湿法去除所述刻蚀阻挡层。