| 发明名称 | 氮化物底层及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化物底层的制作方法，采用PVD溅射AlN层时同时掺少量非Al物质以形成分解温度低于AlN的氮化物，然后进行高温下退火，经过退火后的AlN层不再是平整表面，而是在微观上呈现高低起伏，在这种表面上继续采用MOCVD生长AlGaN能通过三维到二维之间的模式转换释放应力，从而改善AlN裂纹。 | ||
| 申请公布号 | CN105489723A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201610024968.7 | 申请日期 | 2016.01.15 |
| 申请人 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发明人 | 陈圣昌;林文禹;张洁;邓和清;徐宸科 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 氮化物底层的制作方法，包括步骤：1）提供衬底；2）在所述衬底的表面上溅射AlN层：在溅射过程中加入Al源的同时掺入非Al物质，以形成分解温度低于AlN的氮化物；3）对所述AlN层进行退火处理，形成粗糙的表面；4）采用MOCVD 法在所述AlN 层表面沉积Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层（0 ≤x≤1）。 | ||
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||