单晶硅生长超声波控氧技术

摘要

本发明技术是一种单晶硅生长超声波控氧技术；在硅熔体的表面引入一组超声波，超声波振头均匀分布在与硅单棒和坩埚同轴的圆上。超声波振头之间的距离为振头到坩埚壁距离的1.5-2倍。超声波振头由高纯石英材料制成，伸入到硅熔体表面以下10-15mm开，并在晶体生长过程中始终保持同一深度。在硅单晶等径生长过程中，引入超声波振荡，抑制坩埚附近的高氧浓度区的热自然对流，加速晶转引起的硅熔体从中心向四周的流动，促进氧在自由表面的挥发，同时降低熔体中的Si-O气体的溶解度，促进Si-O在熔体表面的挥发，从而控制晶体中的氧含量。

主权项

一种单晶硅生长超声波控氧技术；在硅熔体的表面引入一组超声波，超声波振头均匀分布在与硅单棒和坩埚同轴的圆上；超声波振头之间的距离为振头到坩埚壁距离的1.5‑2.0倍；超声波振头由高纯石英材料制成，伸入到硅熔体表面以下10‑15mm，并在晶体生长过程中始终保持同一深度；在硅单晶等径生长过程中，引入超声波振荡，抑制坩埚附近的高氧浓度区的热自然对流，加速晶转引起的硅熔体从中心向四周的流动，促进氧在自由表面的挥发，同时降低熔体中的Si‑O气体的溶解度，促进Si‑O在熔体表面的挥发，从而控制晶体中的氧含量。