| 发明名称 | 直接氮化法制备免研磨高纯全颗粒状氮化硅粉体的方法 | ||
| 摘要 | 直接氮化法制备免研磨高纯无纤维全颗粒状氮化硅粉体的方法,本发明采用纯度为99.990~99.999%，D50为800目~1000目的硅粉做为原料，采用99.999%的高纯氮气和99.999%的高纯氩气做为环境气氛。们所采取硅粉直接氮化工艺在有效控制氮化硅粉体形状的基础上，使得氮化硅粉体呈松散状，无需研磨可直接用作多晶硅的脱模剂，在满足脱模要求的基础上，降低了产品的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105480957A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201610032501.7 | 申请日期 | 2016.01.18 |
| 申请人 | 沈阳工业大学 | 发明人 | 乔瑞庆 |
| 分类号 | C01B21/068(2006.01)I | 主分类号 | C01B21/068(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人 | 周智博;宋铁军 |
| 主权项 | 直接氮化法制备免研磨高纯无纤维全颗粒状氮化硅粉体的方法，其特征在于: 本发明采用纯度为99.990~99.999%，D50为800目~1000目的硅粉做为原料，采用99.999%的高纯氮气和99.999%的高纯氩气做为环境气氛。 | ||
| 地址 | 110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号 | ||