一种细晶粒平面钼靶材的生产方法

摘要

本发明公开了一种细晶粒平面钼靶材的生产方法，该方法为：一、采用粉末冶金烧结制备钼板坯；二、对钼板坯进行8道次以上轧制，得到钼板材，每道次轧制的加热温度为850℃～1000℃；三、对钼板材进行热处理，随炉冷却后得到晶粒尺寸不大于100μm，平均晶粒尺寸为40μm～80μm的细晶粒钼靶材。本发明的方法简单高效，设备来源广泛，对环境无污染，性能可靠，可批量化生产，生产的产品性能稳定可靠，节能高效，可满足各种规格和单重板材的生产。采用本发明的方法生产的平面钼靶材晶粒组织均匀、细小，平均晶粒尺寸为40μm～80μm，最大晶粒尺寸不大于100μm。

主权项

一种细晶粒平面钼靶材的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、采用粉末冶金烧结制备钼板坯；所述钼板坯中钼的质量百分含量不小于99.95％，钼板坯的密度为9.6g/cm³～9.8g/cm³，钼板坯的平均晶粒直径为25μm～50μm；步骤二、对步骤一中所述钼板坯进行8道次以上轧制，得到钼板材，每道次轧制的加热温度为850℃～1000℃；步骤三、对步骤二中所述钼板材进行热处理，随炉冷却后得到晶粒尺寸不大于100μm，平均晶粒尺寸为40μm～80μm的细晶粒钼靶材。