发明名称 一种谐波选择性产生的超材料结构
摘要 一种谐波选择性产生的超材料结构,属于电磁通信领域。包括至少一个呈矩阵排列的超材料结构单元,每个超材料结构单元包括基板、位于基板之上的人工微结构、及加载于人工微结构上的可变电容二极管;所述人工微结构包括双开口谐振环和四条金属臂,双开口谐振环包括两个相对设置且不接触的金属半环、有2个对称的开口,每个开口的两端分别向环外方向加载平行于开口方向的金属臂,每条金属臂与开口间的距离相等,每个开口处的两条平行金属臂间加载一可变电容二极管。本发明超材料结构能在满足可变电容二极管适用尺寸的结构中放大动态电压;且可通过调整可变电容二极管的连接方式,实现二次谐波和三次谐波的选择性生成。
申请公布号 CN105490029A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201510900681.1 申请日期 2015.12.09
申请人 电子科技大学 发明人 赵强;曾惠中
分类号 H01Q15/00(2006.01)I 主分类号 H01Q15/00(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 吴姗霖
主权项 一种谐波选择性产生的超材料结构,包括至少一个呈矩阵排列的超材料结构单元,每个超材料结构单元包括基板、位于基板之上的人工微结构、及加载于人工微结构上的可变电容二极管;所述人工微结构包括双开口谐振环和四条金属臂,所述双开口谐振环包括两个相对设置且不接触的金属半环、有2个对称的开口,每个开口的两端分别向环外方向加载平行于开口方向的金属臂,用于放大开口处的承载空间,每条金属臂与开口间的距离相等,每个开口处的两条平行金属臂间加载一可变电容二极管。
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