| 发明名称 | n型SiC单晶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供具有低电阻率且贯穿位错密度小的n型SiC单晶。该n型SiC单晶为包含锗和氮的n型SiC单晶，其中锗与氮的密度比[Ge/N]满足0.17＜[Ge/N]＜1.60的关系。 | ||
| 申请公布号 | CN105492667A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201480047230.1 | 申请日期 | 2014.07.23 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 白井嵩幸 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B19/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李英 |
| 主权项 | n型SiC单晶，其为包含锗和氮的n型SiC单晶，其中，所述锗与所述氮的密度比[Ge/N]满足0.17＜[Ge/N]＜1.60的关系。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||