| 发明名称 | 基于磁阻式随机存取存储器的随机逻辑状态的物理不可仿制功能 | ||
| 摘要 | 一个特征是关于一种实施物理不可仿制功能PUF的方法。所述方法包含将磁阻式随机存取存储器MRAM单元的阵列暴露于正交外部磁场。所述MRAM单元各自经配置以表示第一逻辑状态及第二逻辑状态中的一者，且所述正交外部磁场以正交于所述MRAM单元的自由层的易磁化轴的方向定向以将所述MRAM单元置放为并非所述第一逻辑状态或所述第二逻辑状态的中性逻辑状态。所述方法进一步包含移除所述正交外部磁场以将所述阵列的所述MRAM单元中的每一者随机置放为所述第一逻辑状态或所述第二逻辑状态。 | ||
| 申请公布号 | CN105493190A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201480047024.0 | 申请日期 | 2014.09.04 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 朱晓春;史蒂文·M·米伦多夫;郭旭;戴维·M·雅各布森;李康浩;升·H·康;马修·迈克尔·诺瓦克 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;H04L9/08(2006.01)I;H04L9/32(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种实施物理不可仿制功能PUF的方法，所述方法包括：将磁阻式随机存取存储器MRAM单元的阵列暴露于正交外部磁场，所述MRAM单元各自经配置以表示第一逻辑状态及第二逻辑状态中的一者，所述正交外部磁场以正交于所述MRAM单元的自由层的易磁化轴的方向定向以将所述MRAM单元置放为并非所述第一逻辑状态或所述第二逻辑状态的中性逻辑状态；及移除所述正交外部磁场以将所述阵列的所述MRAM单元中的每一者随机置放为所述第一逻辑状态或所述第二逻辑状态。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||