| 发明名称 | 一种新型绝缘栅双极型晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种新型绝缘栅双极型晶体管，包括p型半导体衬底、形成于所述p型衬底上的埋氧层、形成于所述埋氧层上的n型外延层，所述n型外延层的一侧设有p型杂质离子形成的具有预定深度的p-/p+基区；所述n型外延层的另一侧设有p型杂质离子形成的具有预定深度的p+环；所述p-/p+基区设有n型杂质离子形成的具有预定深度的n+区；所述p-/p+基区上形成第一栅极和阴极，所述p+环上形成阳极，所述阴极和阳极之间形成第二栅极。本实用新型旨在提供一种高抗闩锁性能，且能够快速完成开关的绝缘栅双极型晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN205159333U | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201520773871.7 | 申请日期 | 2015.10.08 |
| 申请人 | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 | 发明人 | 赵喜高 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人 | 廉红果;温洁 |
| 主权项 | 一种新型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括p型半导体衬底、形成于所述p型衬底上的埋氧层、形成于所述埋氧层上的n型外延层，所述n型外延层的一侧设有p型杂质离子形成的具有预定深度的p‑/p+基区；所述n型外延层的另一侧设有p型杂质离子形成的具有预定深度的p+环；所述p‑/p+基区设有n型杂质离子形成的具有预定深度的n+区；所述p‑/p+基区上形成第一栅极和阴极，所述p+环上形成阳极，所述阴极和阳极之间形成第二栅极。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区车公庙天吉大厦CD座5C1 | ||