一种抗PID晶体硅太阳能电池制作方法

摘要

一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，该制作方法是通过臭氧氧化的工艺，在硅基底与氮化硅之间制作一层氧化硅层。由于臭氧的氧化能力极强，能够在硅基底表面迅速的生成一层致密氧化硅层。该氧化硅层，能够在非常薄的情况下，满足抗PID的需求，因而避免了现有技术中，由于氧化硅层过厚带来造成的减反效果降低的问题，使得本发明的太阳能电池产品完美的解决了抗PID和光利用率的矛盾问题。该薄膜具有出色的表面钝化效果，相比单一的氮化硅薄膜，其制作的电池可以获得额外的2～3mV开压的提升。本发明所涉及的制作方案工艺简单、成膜速度快，且自动控制膜厚，大大提高了整个工艺的实用性，为大规模工业化生产提供了有效的途径。

主权项

一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，该抗PID晶体硅太阳能电池在硅基片和氮化硅之间制作一层氧化硅，以获得抗PID的效果，其特征在于：所述氧化硅使用臭氧氧化工艺制备而成，所述臭氧氧化工艺包括步骤：1)提供一经过扩散处理后的硅基片；2)对所述硅基片进行清洗；3)将所述硅基片置于臭氧氛围中，使硅基片的扩散面在臭氧中氧化，直至该氧化动作自然停止，得到所需氧化硅层；所述臭氧由臭氧发生器提供，该臭氧的浓度为5～100ppm；所述氧化动作所需的处理时间为3s～60min，温度为15～25℃，得到的所述氧化硅层的厚度为0.6～2nm。