一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：底部基板；栅极；栅极绝缘层；金属氧化物半导体层、两导电接触层、金属氧化物绝缘层的叠层结构；源极、漏极、以及沟道区，导电接触层位于源漏极和金属氧化物半导体层之间，金属氧化物绝缘层位于沟道区内。本发明的半导体器件通过在高温等工艺条件形成导电接触层或氧化锰层，源漏极与金属氧化物半导体层之间的导电接触层或氧化锰层保证了半导体器件在工作状态下能够把金属氧化物半导体层的载流子引出到源极或漏极上。本发明半导体器件的制造方法，用3次光刻工艺制作具有ESL功能的结构，与现有4次工艺相比，简化了工艺流程，降低器件的制造周期，且避免现有制作工艺带来其他不良因素。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：底部基板；栅极，位于基板上的栅极；栅极绝缘层，覆盖在栅极上；金属氧化物半导体层、两导电接触层、金属氧化物绝缘层的叠层结构，金属氧化物半导体层位于栅极绝缘层之上，金属氧化物绝缘层位于两导电接触层之间，金属氧化物绝缘层与两导电接触层位于金属氧化物半导体层之上，且金属氧化物绝缘层和两导电接触层在物理结构上为同层结构，金属氧化物绝缘层、两导电接触层与金属氧化物半导体层具有相同的平面结构；源极、漏极、以及沟道区，导电接触层位于源漏极和金属氧化物半导体层之间，金属氧化物绝缘层位于沟道区内，其中，所述金属氧化物绝缘层为Al₂O₃绝缘层，所述源极和漏极由Cu金属层形成的，所述导电接触层的材料为Al₂O₃弥散强化铜基复合材料，通过高温退火使源极和漏极的Cu进入Al₂O₃绝缘层形成所述导电接触层。