具有简化的互连布线的背照射集成成像设备

摘要

一种背照射集成成像设备，由包括由电容性深沟槽隔离界定的像素区的半导体衬底形成。外围区位于所述像素区外侧。连续导电层在所述像素区中形成在针对每个电容性深沟槽隔离的沟槽中的电极并且在所述外围区中形成用于将所述电极电耦合到偏置接触焊盘的重新分布层。所述电极位于所述沟槽中的沟槽电介质与用于填充所述沟槽的至少一种材料之间。

主权项

一种背照射集成成像设备，包括：半导体衬底；像素区，所述像素区由形成在位于所述半导体衬底的沟槽中的电容性深沟槽隔离界定；外围区，所述外围区位于所述像素区外侧；接触焊盘，所述接触焊盘包括偏置接触焊盘；以及连续导电层，所述连续导电层被配置为在有用的所述像素区中形成在每个电容性深沟槽隔离中的电极并且被配置为在所述外围区中形成重新分布层，所述重新分布层电耦合到在每个电容性深沟槽隔离中的电极并电耦合到所述偏置接触焊盘以用于施加用于偏置在每个电容性深沟槽隔离中的所述电极的电压；其中，在每个电容性深沟槽隔离中的所述电极位于沟槽电介质与用于填充所述沟槽的至少一种材料之间。