薄膜晶体管结构的制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管结构的制造方法，其通过自对准及一掀离工艺来制作氧化物半导体层，并且通过另一掀离工艺来制作源极及漏极，以解决现有技术进行蚀刻时所产生的损伤半导体沟道的问题，及增加工序繁复从而提升工艺成本的问题。

主权项

一种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管结构的制造方法包含步骤：提供一透明基板；形成一非透明栅极图案层于所述透明基板上；覆盖一透明栅极绝缘层于所述非透明栅极图案层及所述透明基板上；形成一负光阻层于所述透明栅极绝缘层上；以所述非透明栅极图案层为一掩膜，提供从所述透明基板朝向所述负光阻层的一方向发射的一曝光光线，以自对准图案化所述负光阻层；形成一氧化物半导体层于图案化后的所述负光阻层及所述透明栅极绝缘层上；移除所述负光阻层，以同时移除位于所述负光阻层上的所述氧化物半导体层；形成一光阻图案层于所述氧化物半导体层及所述透明栅极绝缘层上，以暴露出一源极预定位置及一漏极预定位置；覆盖一金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置上；及移除所述光阻图案层及位于所述光阻图案层上的金属层，以使位于所述源极预定位置及所述漏极预定位置上的所述金属层分别形成一源极及一漏极。