发明名称 电流扩散电极、半导体发光器件及其制备方法
摘要 本发明提供一种电流扩散电极,所述电流扩散电极包括单晶薄膜层和透明导电薄膜层,所述单晶薄膜层和透明导电薄膜层呈互补排列形成单层复合膜,该单层复合膜可与p型氮化物层接触,所述单晶薄膜层的材料为透明导电氧化物。本发明还提供了一种电流扩散电极的制备方法、具有该电流扩散电极的半导体发光器件及制备方法。本发明所述单晶薄膜层和透明导电薄膜层呈互补排列形成单层复合膜,该单层复合膜可与p型氮化物层接触,单晶薄膜层与p型氮化物半导体接触,更容易形成欧姆接触且接触电阻更低,电流分散更均匀,改善了氮化物半导体器件的电学性能;同时,透明导电薄膜层的透光性好,光穿透率更高,出光效率更好,提高了氮化物半导体器件的光学性能。
申请公布号 CN102810613B 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201110142451.5 申请日期 2011.05.30
申请人 比亚迪股份有限公司 发明人 张戈
分类号 H01L33/36(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/36(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种电流扩散电极,其特征在于,所述电流扩散电极包括单晶薄膜层和透明导电薄膜层,所述单晶薄膜层和透明导电薄膜层呈互补排列形成单层复合膜,该单层复合膜与p型氮化物层接触,所述单晶薄膜层的材料为透明导电氧化物;所述单晶薄膜层和透明导电薄膜层均为条纹状图案,且相互间隔交替排列形成单层复合膜。
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